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투자규모 60억 위안의 명관미전자 전력반도체 생산 프로젝트 (1단계) 착공(总投资60亿元 名冠微电子功率芯片生产项目(一期)开工)

2020-03-11
3월 10일, 장시성 당위원회가 주관하는 2020년 장시성의 주요 프로젝트를 소개하고 착공을 선언하는 성급 확대회의가 개최되었습니다. 그 중 간저우(赣州)지역의 프로젝트로 간저우경제개발구에 위치한 Mingxin Co. Ltd.이 주도하는 명관미전자의 전력반도체 생산 프로젝트가 소개되었습니다..
 
소개자료에 따르면, 이 프로젝트는 Mingxin사와 전자과기대학 산하 광동전자신식공정연구원이 공동으로 총 60억 위안(한화 약 1조200억원)을 투자, 8인치 90~110나노급 전력반도체용 웨이퍼를 생산하기 위한 프로젝트로 1단계 투자가 완료되면, 연간 백만장 규모의 전력반도체 웨이퍼가 생산될 예정입니다.
 
보고서에 따르면 간저우경제개발구는 2019년 11월 30일 명관미전자 전력반도체 프로젝트 서명식을 가진 바 있습니다. 프로젝트 전체 투자액은 약 200억 위안(한화 약 3.4조원), 공장 부지는 366,850㎡이고, 프로젝트는 총 2단계의 투자로 진행될 예정이라 합니다. 또한 1단계는 8인치 90~110nm급 전력반도체 웨이퍼 생산라인을, 2단계는 3세대 6/8인치 웨이퍼 제조라인 또는 12인치 실리콘 기반 웨이퍼 제조라인을 건설할 계획입니다.
 
프로젝트의 목표에는 IGBT, 파워MOS, 파워IC, 전원관리칩 등을 포함한 제품군이 포함되어 있으며, 프로젝트가 완료되면 전력반도체 분야 제품 종류를 기준으로 약 80%의 제품군을 확보하게 됩니다. 또한 이번 프로젝트는 간저우시가 200억 위안 이상의 투자를 한 최초의 전자, 반도체분야 투자가 될 것입니다.



원문 URL : https://www.dramx.com/News/igbt/20200311-19043.html